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　　NB-IoT標(biāo)準(zhǔn)基于半雙工設(shè)計(jì)，因此，在RF前端不需要配置雙工器，簡(jiǎn)化射頻前端設(shè)計(jì)復(fù)雜度。若功率放大器(Power Amplifier，PA)可實(shí)現(xiàn)CMOS工藝，也可以考慮將PA集成進(jìn)SoC，進(jìn)一步降低上行信號(hào)發(fā)射時(shí)所產(chǎn)生的功耗損耗。

　　NB-IoT實(shí)際上吸取了短距離無(wú)線通信的一些設(shè)計(jì)理念，在保持適當(dāng)靈活性的前提下，盡可能把設(shè)計(jì)做得簡(jiǎn)潔，如必須支持控制面(Control Plance,CP)模式等，因而可以認(rèn)為介于傳統(tǒng)蜂窩通信和短距離無(wú)線通信技術(shù)的中間狀態(tài)。下面簡(jiǎn)單介紹這個(gè)狀態(tài)的影響。

• 混合自動(dòng)重傳請(qǐng)求(Hybrid Automatic Repeat reQuest,HARQ)的緩沖區(qū)會(huì)比短距離無(wú)線通信等要大一點(diǎn)，但是比傳統(tǒng)LTE系統(tǒng)小很多(只支持單進(jìn)程HARQ，TBS很小)
• 通信的協(xié)議棧會(huì)大一點(diǎn)。和短距離無(wú)線通信技術(shù)相比，NB-IoT的存儲(chǔ)器需求更多。

　　傳統(tǒng)的LTE通信芯片架構(gòu)是基帶+RF+Flash+SDRAM+PA，比較符合異常復(fù)雜的通信芯片架構(gòu)。基帶采用最先進(jìn)的工藝，尺寸盡可能做小，性能盡可能高;RF有多模多頻的要求，使用單獨(dú)的裸芯片制作會(huì)更加容易一些，由于協(xié)議棧較大及物理層HARQ需要的緩沖區(qū)，必須標(biāo)配SDRAM。

　　對(duì)于低功耗無(wú)線通信芯片，基本架構(gòu)是Soc集成RF+Flash+RA，比較符合低成本的物聯(lián)網(wǎng)通信架構(gòu)。芯片總體復(fù)雜度不高，高集成度對(duì)功耗和成本都是有利的。